Corriente Máxima Continua del Colector = 25 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 475 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 16V Disipación de Potencia Máxima = 150 W Tipo de Encapsulado = D2PAK Tipo de Mon...
Este IGBT específico de la aplicación utiliza la tecnología PowerMESH™ más avanzada optimizada para accionamiento de bobina en el entorno hostil de sistemas de encendido de automoción. Estos dispos...
Este IGBT específico de la aplicación utiliza la tecnología PowerMESH™ más avanzada optimizada para accionamiento de bobina en el entorno hostil de sistemas de encendido de automoción. Estos dispos...
Corriente Máxima Continua del Colector = 25 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 475 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 16V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = DPAK Tipo de Montaje = Monta...
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de ...
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 167 W Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) C...
Corriente Máxima Continua del Colector = 86 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 272 W Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) C...
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de ...
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-220FP Conteo de Pines = 3
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de ...
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 50 W Tipo de Encapsulado = TO-220FP Conteo d...
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de ...
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 1 Configuración = Único
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 260 W Tipo de Encapsulado = H2PAK-2
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias.
* En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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