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  IGBT (1.624 artículos)

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IGBT, IKW40N65F5FKSA1, N-Canal, 74 A, 650 V, PG-TO247, 3-Pines 1 (2 ofertas) 
El Infineon IKW40N65F5 es un IGBT de conmutación dura de alta velocidad de 650 V que se utiliza junto con tecnología de diodo Schottky Rapid. Tiene un diseño de densidad de potencia superior y COES...
Infineon
IKW40N65F5FKSA1
a partir de € 2,42*
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 unidad
IGBT, FGH60T65SQD-F155, P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3-Pines 1 Simple (3 ofertas) 
Con la nueva tecnología Field Stop IGBT, la nueva serie de ON Semiconductor de IGBT Field Stop de 4. generación ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones como inversores solares, SAI, soldador...
onsemi
FGH60T65SQD-F155
a partir de € 2,41*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IXA12IF1200HB, N-Canal, 20 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple (2 ofertas) 
IGBT discretos, serie XPT, IXYS. La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas ...
IXYS
IXA12IF1200HB
a partir de € 2,41*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AFGHL40T65SQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
onsemi
AFGHL40T65SQ
a partir de € 2,407*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AFGHL50T65SQD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Canal = N...
onsemi
AFGHL50T65SQD
a partir de € 2,401*
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 unidades
IGBT, IKFW40N60DH3EXKSA1, 34 A, 600 V, PG-TO247-3-AI, 3-Pines Aislado (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 34 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20 V, ±30 V Disipación de Potencia Máxima = 111 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247...
Infineon
IKFW40N60DH3EXKSA1
a partir de € 2,40*
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 unidad
IGBT, IKW15N120BH6XKSA1, 30 A, 1.200 V, PG-TO247-3, 3-Pines (1 oferta) 
Transistor bipolar de puerta aislada Infineon de sexta generación de serie de conmutación suave de alta velocidad.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia e...
Infineon
IKW15N120BH6XKSA1
a partir de € 2,396*
por unidad
 
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IGBT, BIDW50N65T, 50 A, 650 V, TO-247 1 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 416 W Tipo de Encapsulado = TO-247
Bourns
BIDW50N65T
a partir de € 2,39*
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 unidad
IGBT, IKP40N65F5XKSA1, N-Canal, 74 A, 650 V, PG-TO220, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
El Infineon IKP40N65F5 es un IGBT de conmutación dura de alta velocidad de 650 V que se utiliza junto con tecnología de diodo Schottky Rapid. Tiene un diseño de densidad de potencia superior y COES...
Infineon
IKP40N65F5XKSA1
a partir de € 2,382*
por unidad
 
 unidades
IGBT, IKW20N60TFKSA1, 41 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines (1 oferta) 
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada duopack de baja pérdida con tecnología de tope de zanja y tope de campo.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interfer...
Infineon
IKW20N60TFKSA1
a partir de € 2,382*
por unidad
 
 unidades
IGBT, STGWA25IH135DF2, Bidireccional-Canal, 25 A, 1350 V, TO-247, 3-Pines 1 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 25 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1350 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 340 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de ...
ST Microelectronics
STGWA25IH135DF2
a partir de € 2,38*
por unidad
 
 unidad
IGBT, STGWT30H60DFB, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines Simple (2 ofertas) 
Discretos IGBT, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STGWT30H60DFB
a partir de € 2,38*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGHL50T65SQDT, N-Canal, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (3 ofertas) 
Los IGBT DE on Semiconductor ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de inversor solar, SAI, soldador, telecomunicaciones, ESS y PFC donde son esenciales bajas pérdidas de conducción y conm...
onsemi
FGHL50T65SQDT
a partir de € 2,35*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IHW20N135R5XKSA1, 40 A, 1350 V, PG-TO247-3, 3-Pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1350 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20 V, ±25 V Disipación de Potencia Máxima = 310 W Tipo de Encapsulado = PG-TO24...
Infineon
IHW20N135R5XKSA1
a partir de € 2,349*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AIKW30N60CTXKSA1, 60 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 187 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Conte...
Infineon
AIKW30N60CTXKSA1
a partir de € 2,347*
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