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  Módulos de transistores MOSFET (334 artículos)

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Módulo; transistor individual; 500V; 46A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 0,6µs Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 46A Resistencia en estado d...
IXYS
IXTN46N50L
a partir de € 49,502*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 300V; 76A; ISOTOP; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: ISOTOP Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 76A Resistencia en estado de transferencia:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M36JLL
a partir de € 48,88*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 500V; 65A; ISOTOP; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: ISOTOP Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 65A Resistencia en estado de transferencia:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100M50J
a partir de € 48,42*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1kV; 22A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 1µs Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 22A Resistencia en estado de t...
IXYS
IXTN22N100L
a partir de € 48,261*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 600V; 47A; ISOTOP; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: ISOTOP Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 47A Resistencia en estado de transferencia:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6010JFLL
a partir de € 48,21*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1kV; 25A; ISOTOP; atornillado; 520W (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: ISOTOP Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 25A Resistencia en estado de transferencia: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035JLL
a partir de € 48,13*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 15A; ISOTOP; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: ISOTOP Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 15A Resistencia en estado de transferencia...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12080JVFR
a partir de € 47,94*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 600V; 31A; ISOTOP; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: ISOTOP Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 31A Resistencia en estado de transferencia:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6017JFLL
a partir de € 47,71*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 800V; 37A; SOT227B; atornillado (3 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 300ns Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 37A Resistencia en estado d...
IXYS
IXFN44N80Q3
a partir de € 47,59*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 800V; 49A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 300ns Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 49A Resistencia en estado d...
IXYS
IXFN62N80Q3
a partir de € 45,53*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 17A; ISOTOP; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: ISOTOP Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 17A Resistencia en estado de transferencia...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12067JFLL
a partir de € 45,46*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 1,7µs Tensión drenaje-fuente: 1,5kV Corriente del drenaje: 7,5A Resistencia en estado...
IXYS
IXTN8N150L
a partir de € 45,45*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 200V; 210A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: DACO Semiconductor Temperatura de trabajo: -55...150°C Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 210A Resi...
DACO Semiconductor
DAMI280N200
a partir de € 45,33*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 600V; 66A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 300ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 66A Resistencia en estado d...
IXYS
IXFN82N60Q3
a partir de € 45,22*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 500V; 82A; SOT227B; atornillado (3 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 250ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 82A Resistencia en estado d...
IXYS
IXFN100N50Q3
a partir de € 45,12*
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