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  Módulos de transistores MOSFET (336 artículos)

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Módulo; transistor individual; 100V; 420A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 140ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 420A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN420N10T
a partir de € 23,14*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 360A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 130ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 360A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN360N10T
a partir de € 18,61*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 330A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 330A Resistencia en estado de transferencia: 1,3mΩ Poder ...
Vishay
VS-FC420SA10
a partir de € 22,22*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 320A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: DACO Semiconductor Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 320A Resistencia en estado de transferencia: ...
DACO Semiconductor
DAMI450N100
a partir de € 31,14*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 295A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 295A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN300N10P
a partir de € 33,79*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 280A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: DACO Semiconductor Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 280A Resistencia en estado de transferencia: ...
DACO Semiconductor
DAMI320N100
a partir de € 33,07*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 225A; ISOTOP; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: ISOTOP Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 225A Resistencia en estado de transferencia...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M07JVFR
a partir de € 63,39*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 200A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 76ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 200A Resistencia en estado d...
IXYS
IXTN200N10T
a partir de € 25,86*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 200A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 150ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 200A Resistencia en estado ...
IXYS
IXFN200N10P
a partir de € 19,21*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 178A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 245ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 178A Resistencia en estado ...
IXYS
IXTN200N10L2
a partir de € 35,91*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 144A; ISOTOP; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: ISOTOP Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 144A Resistencia en estado de transferencia...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVFR
a partir de € 55,02*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 120A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: DACO Semiconductor Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: ...
DACO Semiconductor
DAMI160N100
a partir de € 19,50*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,7kV; 70A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1,7kV Corriente del drenaje: 70A Resistencia en estado de transferenci...
Genesic Semiconductor
G3R20MT17N
a partir de € 104,65*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,7kV; 67A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1,7kV Corriente del drenaje: 67A Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ Polarizac...
IXYS
IXFN90N170SK
a partir de € 343,87*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 1,7µs Tensión drenaje-fuente: 1,5kV Corriente del drenaje: 7,5A Resistencia en estado...
IXYS
IXTN8N150L
a partir de € 45,62*
por unidad
 
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