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  Módulos de transistores MOSFET (334 artículos)

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Módulo; transistor individual; 1,2kV; 48A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 54ns Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 48A Resistencia en estado d...
1
IXYS
IXFN50N120SK
a partir de € 63,39*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 50A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: DACO Semiconductor Temperatura de trabajo: -55...150°C Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 50A Resi...
1
DACO Semiconductor
DACMI80N1200
a partir de € 70,75*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 54A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 54A Resistencia en estado de transferenci...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120J
a partir de € 50,10*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 74A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 74A Resistencia en estado de transferenci...
1
Genesic Semiconductor
G3R20MT12N
a partir de € 44,72*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 76A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: DACO Semiconductor Temperatura de trabajo: -55...150°C Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 76A Resi...
1
DACO Semiconductor
DACMI120N1200
a partir de € 95,88*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 1,7µs Tensión drenaje-fuente: 1,5kV Corriente del drenaje: 7,5A Resistencia en estado...
1
IXYS
IXTN8N150L
a partir de € 45,45*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,7kV; 67A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1,7kV Corriente del drenaje: 67A Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ Polarizac...
1
IXYS
IXFN90N170SK
a partir de € 345,13*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 1,7kV; 70A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1,7kV Corriente del drenaje: 70A Resistencia en estado de transferenci...
2
Genesic Semiconductor
G3R20MT17N
a partir de € 104,97*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 120A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: DACO Semiconductor Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: ...
1
DACO Semiconductor
DAMI160N100
a partir de € 19,54*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 144A; ISOTOP; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: ISOTOP Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 144A Resistencia en estado de transferencia...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVFR
a partir de € 56,28*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 178A; SOT227B; atornillado (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 245ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 178A Resistencia en estado ...
2
IXYS
IXTN200N10L2
a partir de € 35,92*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 200A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 76ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 200A Resistencia en estado d...
1
IXYS
IXTN200N10T
a partir de € 25,79*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 200A; SOT227B; atornillado (3 ofertas) 
Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 150ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 200A Resistencia en estado ...
3
IXYS
IXFN200N10P
a partir de € 18,23*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 225A; ISOTOP; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Carcasa: ISOTOP Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 225A Resistencia en estado de transferencia...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M07JVFR
a partir de € 64,56*
por unidad
 
 unidad
Módulo; transistor individual; 100V; 280A; SOT227B; atornillado (1 oferta) 
Fabricante: DACO Semiconductor Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 280A Resistencia en estado de transferencia: ...
1
DACO Semiconductor
DAMI320N100
a partir de € 33,13*
por unidad
 
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