Módulos de transistores MOSFET

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Módulo; transistor individual; 250V; 168A; SOT227B; atornillado (1 oferta)

Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 168A Resistencia en estado ...

IXYS

IXFN180N25T

a partir de € 16,61*
por unidad

Módulo; transistor individual; 1,2kV; 25A; SOT227B; atornillado (1 oferta)

Fabricante: SMC DIODE SOLUTIONS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 25A Resistencia en estado de transferencia:...

SMC DIODE SOLUTIONS

S2M0080120N

a partir de € 17,26*
por unidad

Módulo; transistor individual; 150V; 150A; SOT227B; atornillado (3 ofertas)

Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 150V Corriente del drenaje: 150A Resistencia en estado ...

IXYS

IXFN180N15P

a partir de € 18,20*
por unidad

Módulo; transistor individual; 100V; 360A; SOT227B; atornillado (3 ofertas)

Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 130ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 360A Resistencia en estado ...

IXYS

IXFN360N10T

a partir de € 18,48*
por unidad

Módulo; transistor individual; 200V; 115A; SOT227B; atornillado (3 ofertas)

Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 150ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 115A Resistencia en estado ...

IXYS

IXFN140N20P

a partir de € 18,60*
por unidad

Módulo; transistor individual; 100V; 200A; SOT227B; atornillado (3 ofertas)

Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 150ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 200A Resistencia en estado ...

IXYS

IXFN200N10P

a partir de € 19,21*
por unidad

Módulo; transistor individual; 600V; 40A; SOT227B; atornillado (3 ofertas)

Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 40A Resistencia en estado d...

IXYS

IXFN48N60P

a partir de € 20,03*
por unidad

Módulo; transistor individual; 500V; 50A; SOT227B; atornillado (3 ofertas)

Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado d...

IXYS

IXFN64N50P

a partir de € 20,11*
por unidad

Módulo; transistor individual; 500V; 68A; SOT227B; atornillado (1 oferta)

Fabricante: IXYS Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tiempo de disponibilidad: 250ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 68A Resistencia en estado d...

IXYS

IXFN94N50P2

a partir de € 20,11*
por unidad

Módulo; transistor individual; 100V; 120A; SOT227B; atornillado (1 oferta)

Fabricante: DACO Semiconductor Carcasa: SOT227B Estructura del semiconductor: transistor individual Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: ...

DACO Semiconductor

DAMI160N100

a partir de € 20,38*
por unidad

Artículo por página: 10 15 20 50 100

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