Vista general | "Diodos"Términos genéricos Subconceptos |
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€ 0,211* por unidad |
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Diodo, ES1B, Recuperación rápida, 1A, 100V Conexión de silicio, 15ns, DO-214AC (SMA), 2-Pines 920mV (2 ofertas) Diodos rectificadores, 1 A a 1,5 A, Fairchild Semiconductor |
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a partir de € 0,075* por unidad |
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a partir de € 33,789* por unidad |
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WeEn Semiconductors BYC8-600,127 |
a partir de € 0,589* por unidad |
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€ 0,025* por unidad |
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Diodo, ES1C-E3/5AT, 1A, 150V Conexión de silicio, 25ns, DO-214AC (SMA), 2-Pines 920mV, Rectificadores ultrarrápidos (2 ofertas) Diodo de empalme de silicio Vishay, ES1A, ES1B, ES1C. CARACTERÍSTICAS encapsulado de perfil bajo Ideal para la colocación automatizada Unión de chip de pellets pasivados con vidrio tiempos de recup... |
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a partir de € 0,0487* por unidad |
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a partir de € 38,309* por unidad |
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a partir de € 0,0788* por unidad |
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€ 0,013* por unidad |
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Diodo, ES1D, Conmutación, 1A, 200V Conexión de silicio, 15ns, DO-214AC (SMA), 2-Pines 920mV (4 ofertas) Diodos rectificadores, 1 A a 1,5 A, Fairchild Semiconductor |
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a partir de € 0,0756* por unidad |
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a partir de € 39,42* por unidad |
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a partir de € 0,149* por unidad |
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a partir de € 0,009* por unidad |
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Diodo, ES1D-E3/5AT, 1A, 200V Conexión de silicio, 25ns, DO-214AC (SMA), 2-Pines 920mV, Rectificadores ultrarrápidos (1 oferta) Diodo de empalme de silicio Vishay, ES1A, ES1B, ES1C. CARACTERÍSTICAS encapsulado de perfil bajo Ideal para la colocación automatizada Unión de chip de pellets pasivados con vidrio tiempos de recup... |
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a partir de € 0,118* por unidad |
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a partir de € 16,73* por unidad |
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