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  inveo  (2.478 ofertas entre 5.817.456 artículos)

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Diodo, BAT54C RF, 200mA, 30V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAT54C RF
€ 0,135*
por 5 unidades
 
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91%
Diodo, 1N3070TR, Pequeña señal, 500mA, 200V Conexión de silicio, 50ns, DO-35, 2-Pines 1V (2 ofertas) 
Diodos de conmutación de señal pequeña, ON Semiconductor
onsemi
1N3070TR
a partir de € 0,026*
por unidad
 
 unidad
91%
Diodo, BYQ28E-200,127, 10A, 200V Conexión de silicio, 25ns, TO-220AB, 3-Pines 1.25V, Rectificadores ultrarrápidos (3 ofertas) 
Diodos rectificadores, WeEn Semiconductors
WeEn Semiconductors
BYQ28E-200,127
a partir de € 0,242*
por unidad
 
 unidad
91%
Diodo, BAR43AFILM, 100mA, 30V Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines (2 ofertas) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, STMicroelectronics. Alta potencia, eficiencia y densidad.
ST Microelectronics
BAR43AFILM
a partir de € 0,035*
por unidad
 
 unidad
91%
Diodo, BAT54FILM, 300mA, 40V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, STMicroelectronics. Alta potencia, eficiencia y densidad.
ST Microelectronics
BAT54FILM
€ 129,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
91%
Diodo, 1N4936-E3/54, 1A, 400V Conexión de silicio, 200ns, DO-204AL, 2-Pines 1.2V, Rectificador de conmutación rápida (2 ofertas) 
Rectificadores de recuperación rápida de 1 A, Vishay Semiconductor. Diodos de potencia de recuperación rápida versátiles y de alta eficacia en tipos de encapsulado estándar del sector. Perfil bajo ...
Vishay
1N4936-E3/54
a partir de € 0,052*
por unidad
 
 unidad
91%
Diodo, BYV27-200-TAP, Avalancha, 2A, 200V Conexión de silicio, 25ns, SOD-57, 2-Pines 1.07V, Rectificadores ultrarrápidos (3 ofertas) 
Rectificadores de recuperación ultrarrápida, de 2 A a 5 A, Vishay Semiconductor. Características Unión de chip pasivado de vidrio, tiempo de recuperación inversa ultrarrápido, caída de tensión de a...
Vishay
BYV27-200-TAP
a partir de € 0,217*
por unidad
 
 unidad
91%
Diodo, BAR43FILM, 100mA, 30V Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines 1V (4 ofertas) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, STMicroelectronics. Alta potencia, eficiencia y densidad.
ST Microelectronics
BAR43FILM
a partir de € 0,0273*
por unidad
 
 unidad
91%
Diodo, BAT54S RF, 200mA, 30V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAT54S
€ 120,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
91%
Diodo, 1N5397-E3/54, 1.5A, 600V Conexión de silicio, 2μs, DO-204AL, 2-Pines 1.4V (1 oferta) 
Rectificadores de recuperación estándar, 1,5 A. Diodos de potencia de recuperación estándar versátiles y de alta eficacia en tipos de encapsulado estándar del sector. Perfil bajo con altura de 1 mm...
Vishay
1N5397-E3/54
a partir de € 203,50*
por 5.500 unidades
 
 envase
91%
Diodo, BYV29-400,127, 9A, 400V Conexión de silicio, 60ns, TO-220AC, 2-Pines 1.4V, Rectificadores ultrarrápidos (3 ofertas) 
Diodos rectificadores, WeEn Semiconductors
WeEn Semiconductors
BYV29-400,127
a partir de € 0,307*
por unidad
 
 unidad
91%
Diodo, BAS116,215, Nivel de fugas bajo, 215mA, 85V Conexión de silicio, 3μs, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines 1.25V, Diodo de (3 ofertas) 
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia. Características. Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles Velocid...
Nexperia
BAS116,215
a partir de € 0,038*
por unidad
 
 unidad
91%
Diodo, BAT74S,115, 200mA, 30V Barrera Schottky, 5ns, SOT-363 (SC-88), 6-Pines (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, 200mA a 500mA. Alta eficacia Encapsulados de montaje superficial ultrapequeños de perfil bajo Optimizados para caída de tensión directa baja y alta temperatura de empalm...
Nexperia
BAT74S
€ 243,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
91%
Diodo, BAS40-04 RF, 200mA, 40V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines 1V (1 oferta) 
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor. Baja pérdida de potencia Caída de tensión directa baja Capacidad de corriente alta
Taiwan Semiconductor
BAS40-04
€ 150,00*
por 3.000 unidades
 
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91%
Diodo, ES1D R2, Conmutación, 1A, 200V Conexión de silicio, 35ns, DO-214AC (SMA), 2-Pines 950mV (1 oferta) 
Diodos rectificadores, 1 A, Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
ES1D R2
€ 0,059*
por unidad
 
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