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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.802.359 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10,8A; 33,8W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 10,8A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSFET P...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB190CI C0G
a partir de € 2,15*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 33W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 12A Resistencia en estado de transferencia: 0,25Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
Infineon
IPA60R250CPXKSA1
a partir de € 1,65*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STWA68N65DM6, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247 de 3 pines (3 ofertas) 
MOSFET DE CANAL N MDMESH M6STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDm...
ST Microelectronics
STWA68N65DM6
a partir de € 6,47*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFR3910TRPBF, VDSS 100 V, ID 15 A, TO-252AA (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 15 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TO-252AA Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRFR3910TRPBF
a partir de € 0,444*
por unidad
 
 unidades
TOREX XP231P02013R-G MOSFET, CANAL P, 0.2A, 30V, SOT-323-3A (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 3.2 ohm Gama de Producto XP231P0201xx-G Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 P...
Torex Semiconductor
XP231P02013R-G
a partir de € 0,231*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IRFH5250TRPBF, VDSS 25 V, ID 100 A, PQFN 5 x 6 de 4 pines (1 oferta) 
El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET®, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son disposi...
Infineon
IRFH5250TRPBF
€ 0,585*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12,5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO3PN Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 12,5A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 2...
onsemi
FCA20N60
a partir de € 2,26*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 178W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 10A Resistencia en estado de transferencia: 0,8Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ10N60CZ
a partir de € 0,272*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13,8A; 104W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 13,8A Resistencia en estado de transferencia: 0,28Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
IPP60R280E6XKSA1
a partir de € 1,08*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STY100NM60N MOSFET, CANAL N, 600V, 98A, MAX-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.028 ohm Gama de Producto MDmesh II Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...
ST Microelectronics
STY100NM60N
a partir de € 16,30*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFR4104TRPBF, VDSS 40 V, ID 119 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 119 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Dren...
Infineon
IRFR4104TRPBF
a partir de € 0,84*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247 (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carc...
NTE Electronics
NTE2913
a partir de € 3,34*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFH5302TRPBF, VDSS 30 V, ID 100 A, PQFN 5 mm x 6 mm (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PQFN 5 mm x 6 mm Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRFH5302TRPBF
a partir de € 0,391*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 12A Resistencia en estado de transferencia: 0,25Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPP60R250CPXKSA1
a partir de € 1,65*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPI60R280C6 transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPI60R280C6XKSA1
a partir de € 1,09*
por unidad
 
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