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  MOSFET  (25.162 ofertas entre 5.817.450 artículos)

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MOSFET ROHM RS6P060BHTB1, VDSS 100 V, ID 60 A, HSOP8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = HSOP8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
RS6P060BHTB1
a partir de € 1,262*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5,7A; 83W; IPAK (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: TH...
Infineon
IPU80R1K0CEBKMA1
a partir de € 0,56*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RS3G160ATTB1, VDSS 40 V, ID 16 A, SOP de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 16 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia M...
ROHM Semiconductor
RS3G160ATTB1
a partir de € 0,889*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO247 (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 80A Resistencia en estado de transferencia: 11mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 310W ...
onsemi
FDH047AN08A0
a partir de € 3,85*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RS6R035BHTB1, VDSS 150 V, ID 35 A, HSOP8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = HSOP8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
RS6R035BHTB1
a partir de € 1,29*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,8A; 25W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 3,8A Resistencia en estado de transferencia: 0,95Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
Taiwan Semiconductor
TSM80N950CI C0G
a partir de € 1,43*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RS6G100BGTB1, VDSS 40 V, ID 100 A, HSOP8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = HSOP8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
RS6G100BGTB1
a partir de € 0,607*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM RD3L07BBGTL1, VDSS 60 V, ID 115 A, TO-252 (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 115 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
RD3L07BBGTL1
a partir de € 1,124*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RS6L120BGTB1, VDSS 60 V, ID 150 A, HSOP8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 150 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = HSOP8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
RS6L120BGTB1
a partir de € 1,006*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 90A Resistencia en estado de transferencia: 8,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 310W...
onsemi
FDB045AN08A0
a partir de € 2,13*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,4A; 25W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 3,4A Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
Taiwan Semiconductor
TSM80N1R2CI C0G
a partir de € 1,42*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RS3L110ATTB1, VDSS 60 V, ID 11 A, SOP de 8 pines (1 oferta) 
El MOSFET de alimentación ROHM tiene un tipo de encapsulado DFN1616-7T. Se utiliza principalmente para conmutación, convertidor dc-dc e interruptores de batería.Baja resistencia de encendido Encaps...
ROHM Semiconductor
RS3L110ATTB1
€ 2.782,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 30A; Idm: 173A; 1135W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
Microchip Technology
APT48M80L
a partir de € 20,11*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RS6P100BHTB1, VDSS 100 V, ID 100 A, HSOP8S (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = HSOP8S Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
RS6P100BHTB1
a partir de € 2,214*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM RSR010N10HZGTL, VDSS 100 V, ID 1 A, SOT-346T de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SOT-346T Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de ...
ROHM Semiconductor
RSR010N10HZGTL
a partir de € 0,238*
por unidad
 
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