MOSFET | MERCATEO (Página 1.285/1.679)

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Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -15V; -0,53A; Idm: 7A; SO8; ESD (1 oferta)

Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: -15V Corriente del drenaje: -0,53A Resistencia en estado de transferencia: 0,18Ω Tipo de transistor: P-MOSFET x2 Pola...

Texas Instruments

TPS1120D

a partir de € 1,31*
por unidad

MOSFET Texas Instruments CSD13383F4T, VDSS 12 V, ID 2,9 A, PICOSTAR (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 12 V Tipo de Encapsulado = PICOSTAR Tipo de Montaje = Montaje superficial

Texas Instruments

CSD13383F4T

a partir de € 0,369*
por unidad

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1,7A; 1,25W; SO8 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -1,7A Tipo de transistor: P-MOSFET x2 Poder disipado: 1,25W Polarización: unipolar Cl...

Infineon

IRF7504TRPBF

€ 0,20*
por unidad

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2302CX RFG, VDSS 20 V, ID 2,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N, Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor

TSM2302CX RFG

€ 0,106*
por unidad

Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 oferta)

Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TSOT25 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -1,5A Resistencia en estado de transferencia: 0,34Ω Tipo de transistor: P-MOSFET + Sc...

ROHM Semiconductor

QS5U27TR

a partir de € 0,19*
por unidad

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0,6A; 0,3W (1 oferta)

Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: SC70-6;SOT363;SC88 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -600mA Resistencia en estado de transferencia: 0,8Ω Tipo de transistor: P-MOSFET x2 P...

onsemi

FDG6308P

a partir de € 0,166*
por unidad

MOSFET Texas Instruments CSD17483F4T, VDSS 30 V, ID 1,5 A, PICOSTAR (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PICOSTAR Tipo de Montaje = Montaje superficial

Texas Instruments

CSD17483F4T

a partir de € 0,501*
por unidad

MOSFET Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30,8 A, DFN de 5 pines, , config. Simple (1 oferta)

Reguladores de tensión de conmutación Tiempo de recuperación inversa rápido: trr = 135 ns (típ.) Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 0,087 mΩ (típ) Conmutación de puerta de cont...

Toshiba

TK31V60W5

a partir de € 4,129*
por unidad

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 100/-100V (1 oferta)

Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 100/-100V Corriente del drenaje: 2,2/-2,1A Resistencia en estado de transferencia: 0,23/0,235Ω Tipo de transistor: ...

Diodes

ZXMC10A816N8TA

a partir de € 0,30*
por unidad

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM280NB06LCR, VDSS 60 V, ID 28 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta)

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...

Taiwan Semiconductor

TSM280NB06LCR

a partir de € 0,564*
por unidad

Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -30V; -2A; Idm: -8A (2 ofertas)

Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TSOT25 Tensión drenaje-fuente: -30V Corriente del drenaje: -2A Resistencia en estado de transferencia: 0,225Ω Tipo de transistor: P-MOSFET + Sch...

ROHM Semiconductor

QS5U33TR

a partir de € 0,202*
por unidad

MOSFET Texas Instruments CSD17575Q3, VDSS 30 V, ID 3 A, VSONP de 8 pines (1 oferta)

Texas Instruments

CSD17575Q3

a partir de € 0,402*
por unidad

MOSFET Toshiba TPH1R306PL,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 100 A, SOP de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia ...

Toshiba

TPH1R306PL,L1Q(M

a partir de € 1,666*
por unidad

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM300NB06DCR, VDSS 60 V, ID 25 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 25 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 30 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de um...

Taiwan Semiconductor

TSM300NB06DCR

a partir de € 0,953*
por unidad

Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A (1 oferta)

Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: SMD Carcasa: SOT23-6 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -3A Resistencia en estado de transferencia: 95mΩ Tipo de transistor: P-MOSFET x2 Pod...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJS2301A

a partir de € 0,053*
por unidad

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