MOSFET | MERCATEO (Página 30/1.679)

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MOSFET IXYS IXFH96N20P, VDSS 200 V, ID 96 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

IXYS

IXFH96N20P

a partir de € 6,416*
por unidad

Infineon SPP04N80C3 transistore 700 V (3 ofertas)

Infineon

SPP04N80C3XKSA1

a partir de € 0,618*
por unidad

MOSFET onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...

onsemi

BS170

a partir de € 0,86*
por 10 unidades

MOSFET Nexperia PSMN1R7-30YL,115, VDSS 30 V, ID 100 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N, hasta 30V

Nexperia

PSMN1R7-30YL,115

€ 3,27*
por 5 unidades

MOSFET IXYS IXFK120N30P3, VDSS 300 V, ID 120 A, TO-264 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™. Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

IXYS

IXFK120N30P3

a partir de € 14,573*
por unidad

MOSFET Infineon SPP15P10PLHXKSA1, VDSS 100 V, ID 11,3 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®. Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos...

Infineon

SPP15P10PLHXKSA1

a partir de € 7,13*
por 5 unidades

MOSFET onsemi ECH8310-TL-H, VDSS 30 V, ID 9 A, ECH de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor

onsemi

ECH8310-TL-H

a partir de € 6,18*
por 10 unidades

MOSFET Nexperia PSMN1R8-30PL,127, VDSS 30 V, ID 100 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N, hasta 30V

Nexperia

PSMN1R8-30PL,127

€ 3,228*
por 2 unidades

MOSFET Infineon SPW16N50C3FKSA1, VDSS 560 V, ID 16 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

Infineon

SPW16N50C3FKSA1

a partir de € 1,941*
por unidad

MOSFET onsemi FCB11N60TM, VDSS 600 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporcion...

onsemi

FCB11N60TM

€ 1.036,00*
por 800 unidades