MOSFET | MERCATEO (Página 428/1.678)

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MOSFET Semelab D2020UK, VDSS 65 V, ID 2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

Transistores MOSFET RF, Semelab

Semelab

D2020UK

a partir de € 44,927*
por unidad

MOSFET onsemi NVMFD5C446NLT1G, VDSS 40 V, ID 145 A, DFN de 8 pines, 2elementos (1 oferta)

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoc...

onsemi

NVMFD5C446NLT1G

a partir de € 21,19*
por 10 unidades

MOSFET onsemi NVMFD5C672NLT1G, VDSS 60 V, ID 49 A, DFN de 8 pines, 2elementos (2 ofertas)

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponib...

onsemi

NVMFD5C672NLT1G

a partir de € 0,95*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics PD55003L-E, VDSS 40 V, ID 2,5 A, PowerFLAT 5 x 5 de 14 pines, , config. Simple (1 oferta)

Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...

ST Microelectronics

PD55003L-E

€ 14.955,00*
por 3.000 unidades

MOSFET onsemi SI4435DY, VDSS 30 V, ID 8,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potenc...

onsemi

SI4435DY

a partir de € 0,349*
por unidad

MOSFET onsemi NVMFD5C462NLT1G, VDSS 40 V, ID 84 A, DFN de 8 pines, 2elementos (1 oferta)

onsemi

NVMFD5C462NLT1G

a partir de € 31,975*
por 25 unidades

MOSFET onsemi NVMFD5C674NLT1G, VDSS 60 V, ID 42 A, DFN de 8 pines, 2elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 42 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = NVMFD5C674NL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...

onsemi

NVMFD5C674NLT1G

a partir de € 0,75*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics. Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión ...

ST Microelectronics

SCT30N120

a partir de € 18,22*
por unidad

MOSFET onsemi NVMFD5C462NT1G, VDSS 40 V, ID 70 A, DFN de 8 pines, 2elementos (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 70 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia M...

onsemi

NVMFD5C462NT1G

a partir de € 12,57*
por 10 unidades

MOSFET onsemi NVMFD5C680NLWFT1G, VDSS 60 V, ID 26 A, DFN de 8 pines, 2elementos (2 ofertas)

onsemi

NVMFD5C680NLWFT1G

a partir de € 0,667*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STB120NF10T4, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

ST Microelectronics

STB120NF10T4

€ 2.171,00*
por 1.000 unidades

MOSFET STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple (1 oferta)

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

ST Microelectronics

IRF630

a partir de € 36,50*
por 50 unidades

MOSFET onsemi NVMFD5C466NLWFT1G, VDSS 40 V, ID 52 A, DFN de 8 pines, 2elementos (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 52 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = NVMFD5C466NL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...

onsemi

NVMFD5C466NLWFT1G

a partir de € 29,00*
por 25 unidades

MOSFET onsemi NVMFD6H852NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble (2 ofertas)

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador NVMFD6H852NLWF − Opc...

onsemi

NVMFD6H852NLWFT1G

a partir de € 0,508*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STB14NK50ZT4, VDSS 500 V, ID 14 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB14NK50ZT4

€ 1.896,00*
por 1.000 unidades

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