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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.034 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 250ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 52A Resistencia en estado de transferencia: 73mΩ Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTQ52N30P
a partir de € 3,69*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMBG65R083M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 28 A, TO-263-7 de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 28 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número ...
Infineon
IMBG65R083M1HXTMA1
a partir de € 3,802*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMN2024UFX-7, VDSS 20 V, ID 8 A, V-DFN2050-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Serie = DMN2024UFX Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,22 O Modo de Canal =...
Diodes
DMN2024UFX-7
a partir de € 0,317*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO3P (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 120ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 170A Resistencia en estado de transferencia: 9mΩ Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTQ170N10P
a partir de € 6,56*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMBG65R030M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 63 A, TO-263-7 de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 63 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número ...
Infineon
IMBG65R030M1HXTMA1
a partir de € 7,879*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMN10H170SFGQ-7, VDSS 100 V, ID 3,7 A, PowerDI3333-8 de 8 pines (1 oferta) 
El MOSFET DiodesZetex 100V de modo de mejora de par complementario está diseñado para cumplir los exigentes requisitos de aplicaciones de automoción. Cuenta con certificación AEC-Q101, compatible c...
Diodes
DMN10H170SFGQ-7
a partir de € 0,493*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 4A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 150W Polarización: unipolar Clase de empaquetado: tub...
IXYS
IXFA4N100P
a partir de € 2,09*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMBG65R163M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-263-7 de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número ...
Infineon
IMBG65R163M1HXTMA1
a partir de € 2,62*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMN2450UFB4-7R, VDSS 20 V, ID 1 A, X2-DFN1006 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applicatio...
Diodes
DMN2450UFB4-7R
a partir de € 90,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 5A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 250W Polarización: unipolar Clase de empaquetado: tub...
IXYS
IXFA5N100P
a partir de € 2,71*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMBG65R048M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 45 A, TO-263-7 de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número ...
Infineon
IMBG65R048M1HXTMA1
a partir de € 5,812*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMN10H170SFGQ-7, VDSS 100 V, ID 3,7 A, PowerDI3333-8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = DMN10 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dren...
Diodes
DMN10H170SFGQ-7
€ 496,00*
por 2.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 300ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 12A Resistencia en estado de transferencia: 0,5Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXTA12N50P
a partir de € 1,88*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMN2024UVTQ-7, VDSS 20 V, ID 7 A, TSOT-26 de 6 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = TSOT-26 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistenci...
Diodes
DMN2024UVTQ-7
a partir de € 0,218*
por unidad
 
 unidades
IXYS SEMICONDUCTOR IXTK180N15P MOSFET, N, TO-264 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.01 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Or...
IXYS
IXTK180N15P
a partir de € 9,61*
por unidad
 
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