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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.804.347 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 82ns Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 230A Resistencia en estado de transferencia: 4,7mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXFH230N10T
a partir de € 5,04*
por unidad
 
 unidad
MICROCHIP DN2470K4-G MOSFET, 700V, 0.17A, 150°C, 2.5W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 0 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 42 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de ...
Microchip Technology
DN2470K4-G
a partir de € 0,767*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSC014N06NSTATMA1, TDSON-8 (1 oferta) 
Tipo de Encapsulado = TDSON-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
BSC014N06NSTATMA1
a partir de € 2,654*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; 43W; DFN5x6 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN5x6 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 48A Resistencia en estado de transferencia: 6,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSF...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6226
a partir de € 0,34*
por unidad
 
 unidad
LITTELFUSE IXFH60N65X2-4 MOSFET, CANAL N, 650V, 60A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.052 ohm Gama de Producto HiPerFET Series Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal...
Littelfuse
IXFH60N65X2-4
a partir de € 8,08*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSC076N06NS3GATMA1, VDSS 60 V, ID 180 A, PG-TDSON-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 180 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TDSON-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
BSC076N06NS3GATMA1
a partir de € 0,575*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,2A; 42W; DirectFET (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: DirectFET Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 4,2A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 42W Polarización: unipolar Cl...
Infineon
IRF6655TRPBF
a partir de € 5.278,176*
por 4.800 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 360A Resistencia en estado de transferencia: 2,9mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1...
IXYS
IXFX360N10T
a partir de € 8,31*
por unidad
 
 unidad
LITTELFUSE IXFN210N20P MàDULO MOSFET, 200V, 188A, 1.07KW (1 oferta) 
Tipo de Canal Canal N Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00105 ohm Gama de Producto - Corriente de Drenaje Continua Id 188 A Temperatura de Funcionamien...
Littelfuse
IXFN210N20P
a partir de € 29,78*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSC037N08NS5TATMA1, VDSS 80 V, ID 136 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 136 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 N...
Infineon
BSC037N08NS5TATMA1
a partir de € 1,763*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 23A Resistencia en estado de transferencia: 52mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 127W...
onsemi
FQB33N10TM
a partir de € 0,68*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Microchip DN2540N8-G, VDSS 400 V, ID 170 mA, TO-243AA de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
El DN2540 es un transistor de modo de vaciado de umbral bajo (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta...
Microchip Technology
DN2540N8-G
a partir de € 0,637*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSC015NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 147 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 147 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Serie = OptiMOS™ Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dr...
Infineon
BSC015NE2LS5IATMA1
a partir de € 0,681*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay IRF510SPBF, VDSS 100 V, ID 5,6 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF510SPBF
a partir de € 0,37*
por unidad
 
 unidad
LITTELFUSE IXFN230N20T MàDULO MOSFET, 200V, 220A, 1.09KW (1 oferta) 
Tipo de Canal Canal N Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0075 ohm Gama de Producto - Corriente de Drenaje Continua Id 220 A Temperatura de Funcionamient...
Littelfuse
IXFN230N20T
a partir de € 25,09*
por unidad
 
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