Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.383 ofertas entre 5.863.839 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
MOSFET Infineon BSC670N25NSFDATMA1, VDSS 250 V, ID 24 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 250 V Serie = OptiMOS™ 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Infineon
BSC670N25NSFDATMA1
a partir de € 2,216*
por unidad
 
 unidades
LITTELFUSE IXFH150N17T2 MOSFET, 150A, 175V, 880W, TO-247-3 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.012 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor O...
Littelfuse
IXFH150N17T2
a partir de € 6,06*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSC098N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor cont...
Infineon
BSC098N10NS5ATMA1
a partir de € 0,789*
por unidad
 
 unidades
IXYS SEMICONDUCTOR IXTH10P60 MOSFET, CANAL P, 600V, 10A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal P Corriente...
IXYS
IXTH10P60
a partir de € 7,13*
por unidad
 
 unidad
Infineon BSD840N transistore 100 V (3 ofertas)
Infineon
BSD840NH6327XTSA1
a partir de € 0,079*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 62,5W; DFN5x6 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN5x6 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 67A Resistencia en estado de transferencia: 6mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6292
a partir de € 1,22*
por unidad
 
 unidad
LITTELFUSE IXFH180N20X3 MOSFET, 180A, 200V, 735W, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0063 ohm Gama de Producto Serie HiPerFET clase X3 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines ...
Littelfuse
IXFH180N20X3
a partir de € 10,36*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263 (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: D2PAK;TO263 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 87A Resistencia en estado de transferencia: 9,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipad...
Vishay
SUM110N10-09-E3
a partir de € 2,31*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSD214SNH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1,5 A, SOT-363 de 6 pines (1 oferta) 
El Infineon OptiMOS™2 de transistor de señal pequeña tiene certificación AEC Q101.Canal N. Modo de mejora Nivel Super Logic (valor nominal de 2,5 V)
Infineon
BSD214SNH6327XTSA1
a partir de € 0,094*
por unidad
 
 unidades
IXYS SEMICONDUCTOR IXTP80N10T MOSFET, CANAL N, 100V, 80A, TO-220 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.014 ohm Gama de Producto Trench Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N ...
IXYS
IXTP80N10T
a partir de € 1,56*
por unidad
 
 unidad
LITTELFUSE IXFH60N65X2-4 MOSFET, CANAL N, 650V, 60A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.052 ohm Gama de Producto HiPerFET Series Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal...
Littelfuse
IXFH60N65X2-4
a partir de € 8,08*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSC110N15NS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 76 A, TDSON de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 76 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número de ...
Infineon
BSC110N15NS5ATMA1
a partir de € 2,129*
por unidad
 
 unidad
IXYS SEMICONDUCTOR IXTP120P065T MOSFET, CANAL P, 65V, 120A, TO-220AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.01 ohm Gama de Producto TrenchP Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal P ...
IXYS
IXTP120P065T
a partir de € 2,91*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSG0810NDIATMA1, VDSS 25 V, ID 50 A, TISON-8 de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Tipo de Encapsulado = TISON-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número de...
Infineon
BSG0810NDIATMA1
€ 5.735,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; Idm: 272A; 170W (1 oferta) 
Fabricante: NEXPERIA Montaje: THT Carcasa: TO220AB;SOT78 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 68A Resistencia en estado de transferencia: 10,8mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...
Nexperia
PSMN013-100PS,127
a partir de € 1,15*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   781   782   783   784   785   786   787   788   789   790   791   ..   1693   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.