semiconductores discretos | MERCATEO (Página 3.212/3.483)

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Transistor digital, DTC114YE3HZGTL, NPN 100 mA 50 V EMT3, 3 pines (1 oferta)

Tipo de Transistor = NPN Corriente DC Máxima del Colector = 100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = 50 V Tipo de Encapsulado = EMT3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3

ROHM Semiconductor

DTC114YE3HZGTL

a partir de € 0,081*
por unidad

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Transistor digital, EMB11T2R, PNP/PNP -100 mA -50 V Dual SOT-563, 6 pines (1 oferta)

Transistor digital doble de uso general Rohm con elemento de transistor independiente. Se utiliza en inversor, interfaz y controlador.El coste de montaje y el área se pueden reducir a la mitad

ROHM Semiconductor

EMB11T2R

a partir de € 0,049*
por unidad

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VISHAY SIHB21N65EF-GE3 MOSFET, CANAL N, 650V, 21A, TO-263 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.15 ohm Gama de Producto E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Cana...

Vishay

SIHB21N65EF-GE3

a partir de € 2,40*
por unidad

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Transistor digital, DTA114TKAT146, PNP -100 mA -50 V SOT-346, 3 pines (1 oferta)

Tipo de Transistor = PNP Corriente DC Máxima del Colector = -100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = -50 V Tipo de Encapsulado = SOT-346 Tipo de Montaje = Montaje superficial Ganancia Mínima de Cor...

ROHM Semiconductor

DTA114TKAT146

a partir de € 0,047*
por unidad

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Transistor digital, IMB3AT110, PNP -100 mA -50 V Dual SOT-457, 6 pines (1 oferta)

Tipo de Transistor = PNP Corriente DC Máxima del Colector = -100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = -50 V Tipo de Encapsulado = SOT-457 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Nú...

ROHM Semiconductor

IMB3AT110

a partir de € 0,08*
por unidad

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VISHAY SIHB22N60E-GE3 MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.15 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...

Vishay

SIHB22N60E-GE3

a partir de € 1,83*
por unidad

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VISHAY SIHP11N80AE-GE3 MOSFET, CANAL N, 800V, 8A, 150°C, 78W (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.391 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...

Vishay

SIHP11N80AE-GE3

a partir de € 0,808*
por unidad

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Transistor digital, EMB53T2R, PNP/PNP 100 mA -50 V Dual SOT-563, 6 pines (1 oferta)

Tipo de Transistor = PNP/PNP Corriente DC Máxima del Colector = 100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = -50 V Tipo de Encapsulado = SOT-563 Tipo de Montaje = Montaje superficial Ganancia Mínima de ...

ROHM Semiconductor

EMB53T2R

a partir de € 0,064*
por unidad

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VISHAY SIHB24N65EF-GE3 MOSFET, CANAL N, 650V, 24A, TO-263 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.13 ohm Gama de Producto E Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines M...

Vishay

SIHB24N65EF-GE3

a partir de € 2,77*
por unidad

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Transistor digital, DTA115EE3HZGTL, PNP 100 mA -50 V EMT3, 3 pines (1 oferta)

Tipo de Transistor = PNP Corriente DC Máxima del Colector = 100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = -50 V Tipo de Encapsulado = EMT3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3

ROHM Semiconductor

DTA115EE3HZGTL

a partir de € 0,031*
por unidad

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VISHAY SIHP15N60E-GE3 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Or...

Vishay

SIHP15N60E-GE3

a partir de € 1,16*
por unidad

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Transistor digital, MJB45H11G, PNP -80 V D2PAK (TO-263), 2 + Tab pines, Simple (1 oferta)

The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power...

onsemi

MJB45H11G

a partir de € 27,30*
por 50 unidades

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VISHAY SIHB35N60EF-GE3 MOSFET, CANAL N, 32A, 600V, TO-263 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.084 ohm Gama de Producto EF Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...

Vishay

SIHB35N60EF-GE3

a partir de € 2,67*
por unidad

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VISHAY SIHP15N80AE-GE3 MOSFET, CANAL N, 800V, 13A, TO-220AB (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.304 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...

Vishay

SIHP15N80AE-GE3

a partir de € 1,07*
por unidad

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Transistor digital, EMD38T2R, PNP/NPN 100/100 mA 50/-50 V Dual SOT-563, 6 pines (1 oferta)

Tipo de Transistor = PNP/NPN Corriente DC Máxima del Colector = 100/100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = 50/-50 V Tipo de Encapsulado = SOT-563 Tipo de Montaje = Montaje superficial Ganancia Mín...

ROHM Semiconductor

EMD38T2R

a partir de € 0,069*
por unidad

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