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  Transistores  (10.417 ofertas entre 5.817.478 artículos)

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Darlington Transistor, NPN, 45V, SOT-23 (2 ofertas) 
Darlington Transistor, Type=BC847C, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=900 mV, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=600 mV, Collector-Base Voltage (Vcbo)=50 V, Collecto...
Diotec
BC847C
a partir de € 0,0213*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMC2053UFDBQ-7 TRANSISTOR MOSFET DUAL, 20V, U-DFN2020-6 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4.6 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión ...
Diodes
DMC2053UFDBQ-7
a partir de € 0,535*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor bipolar de RF, BFP405H6327XTSA1, NPN 12 mA 15 V TSFP-4 (1 oferta) 
Tipo de Transistor = NPN Corriente DC Máxima del Colector = 12 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = 15 V Tipo de Encapsulado = TSFP-4 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
BFP405H6327XTSA1
a partir de € 0,189*
por unidad
 
 unidades
Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 192W; TO247-4 (2 ofertas) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO247-4 Tensión colector-emisor: 1,2kV Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 25A Corriente de colector en impulso: 100A Tipo de transistor: ...
onsemi
NGTB25N120FL2WG
a partir de € 3,84*
por unidad
 
 unidad
Darlington Transistor, NPN, 45V, SOT-23 (2 ofertas) 
Darlington Transistor, Type=BC847B, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=900 mV, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=600 mV, Collector-Base Voltage (Vcbo)=50 V, Collecto...
Diotec
BC847B
a partir de € 0,0213*
por unidad
 
 unidad
Transistor bipolar de baja saturación, EMX18T2R, NPN 500 mA 12 V Dual SOT-563, 6 pines (1 oferta) 
El transistor de uso general Rohm tiene una tensión nominal de 12V. Se utiliza principalmente en amplificadores de baja frecuencia. El elemento transistor es independiente.El coste de montaje y el ...
ROHM Semiconductor
EMX18T2R
a partir de € 0,169*
por unidad
 
 unidades
Transistor: IGBT; 1,2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 (3 ofertas) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión colector-emisor: 1,2kV Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 30A Corriente de colector en impulso: 60A Tipo d...
Infineon
IKW15N120H3FKSA1
a partir de € 3,33*
por unidad
 
 unidad
Darlington Transistor, NPN, 45V, TO-225 (1 oferta) 
Darlington Transistor, Type=BD675G, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=-999, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=2.5 V, Collector-Base Voltage (Vcbo)=45 V, Collector-E...
onsemi
BD675G
a partir de € 0,46*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMC2710UDWQ-7 TRANSISTOR MOSFET DUAL, 20V, SOT-363-6 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 750 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
Diodes
DMC2710UDWQ-7
a partir de € 0,2615*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor bipolar de RF, BF776H6327XTSA1, NPN 50 mA 4 V SOT-343, 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Transistor = NPN Corriente DC Máxima del Colector = 50 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = 4 V Tipo de Encapsulado = SOT-343 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4
Infineon
BF776H6327XTSA1
a partir de € 0,665*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 75A (1 oferta) 
Fabricante: HUAJING Carcasa: V1 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor/transistor Tensión entrada - emisor: ±30V Corriente de colector: 75A Corriente de colector en...
HUAJING
HFGM75D12V1
a partir de € 32,43*
por unidad
 
 unidad
Infineon
BFP196WNH6327XTSA1
a partir de € 0,081*
por unidad
 
 unidades
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A (3 ofertas) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Carcasa: AG-62MM-1 Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector: 200A Co...
Infineon
FF200R12KT4HOSA1
a partir de € 75,30*
por unidad
 
 unidad
Darlington Transistor, NPN, 60V, TO-220AB (1 oferta) 
Darlington Transistor, Type=TIP120, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=-999, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=4 V, Collector-Base Voltage (Vcbo)=60 V, Collector-Emi...
Sin datos
TIP120
a partir de € 0,88*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMN2024UVTQ-7 TRANSISTOR MOSFET DUAL, 20V, TSOT-26-6 (3 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 7 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Dr...
Diodes
DMN2024UVTQ-7
a partir de € 0,134*
por unidad
 
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