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MOSFET STMicroelectronics STD7NM60N, VDSS 600 V, ID 5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1031988
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STD7NM60N
EAN/GTIN:
     5059042010701
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
MDmesh
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
900 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
45 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-25 V, +25 V
Longitud:
6.6mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, 1031988, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STD7NM60N
Resumen de condiciones1
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