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MOSFET onsemi FDS6681Z, VDSS 30 V, ID 20 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1241711
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDS6681Z
EAN/GTIN:
     5059042707298
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc. Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de las generaciones anteriores. El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar los circuitos amortiguadores o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOIC
Serie:
PowerTrench
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
5 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
2,5 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-25 V, +25 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1241711, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDS6681Z
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