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MOSFET onsemi FQP47P06, VDSS 60 V, ID 47 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1241758
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FQP47P06
EAN/GTIN:
     5059042707168
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P QFET®, Fairchild Semiconductor. El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento. Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Serie:
QFET
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
26 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
160 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-25 V, +25 V
Longitud:
10.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1241758, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FQP47P06
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