| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-1245401 N.º fabricante: NTD5867NLT4G EAN/GTIN: 5059042124446 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 20 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 60 V | Tipo de Encapsulado: | DPAK (TO-252) | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 50 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.5V | Disipación de Potencia Máxima: | 36 W | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | -20 V, +20 V | Longitud: | 6.73mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |