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| N.º art.: 3318E-1258040 N.º fabricante: IXFN200N10P EAN/GTIN: 5059041070690 |
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![](/p.gif) | MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 200 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | SOT-227 | Serie: | Polar HiPerFET | Tipo de Montaje: | Montaje roscado | Conteo de Pines: | 4 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 7,5 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5V | Tensión de umbral de puerta mínima: | 3V | Disipación de Potencia Máxima: | 680 W | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | -20 V, +20 V | Longitud: | 38.23mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +175 °C |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 1258040, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IXYS, IXFN200N10P |
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