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| N.º art.:
3318E-1446040 N.º fabricante:
R12P21503D EAN/GTIN:
5059039731411 |
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| El concepto de arquitectura de alimentación distribuida y la combinación de una fuente de alimentación conmutada centralizada con muchos módulos de convertidor ″en placa″ locales permite a los desarrolladores producir unos diseños mucho más flexibles y eficientes. En la actualidad, los módulos comerciales ya listos para uso están disponibles para prácticamente cualquier aplicación en los mercados de controles industriales, generación de energía, medicina, aeroespacial y transporte.Diseñado para circuitos de controlador IGBT/SiC Hasta 2 vatios Tensiones de aislamiento de hasta 6,4 kV CC Estilos de encapsulado y configuración de contactos diferentes Salida asimétrica Alta eficacia Aislamiento alto Protección opcional contra cortocircuito (/P). En conformidad con RoHS Conformidad con REACH Certificación EN60950-1 3 años de garantíaLos controladores de transistor SIC de alta velocidad de subida requieren una fuente de alimentación asimétrica aislada de +20/-5 V o +15/-3 V, con alta tensión de aislamiento y baja capacitancia de aislamiento. La serie RxxPxxyyD se ha diseñado especialmente para cumplir con este exigente requisito, con una tensión de aislamiento de 6400 V CC y Más información: | | Tensión de salida: | -3 V dc, 15V dc | Rango de tensión de entrada: | 10,8→ 13,2 V cc | Potencia nominal: | 1W | Tensión de entrada nominal: | 12 V dc | Corriente de Salida: | 66 mA, 303mA | Tipo de montaje: | Agujero pasante | Aislado: | Sí | Número de salidas: | 2 | Encapsulado: | SIP | Tensión de aislamiento: | 5.2kV dc | Profundidad: | 10.2mm | Longitud:: | 19.65mm | Ancho: | 7.05mm | Serie: | RP | Regulación de carga: | 10 (+15 V dc)% |
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