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MOSFET Vishay SIHB30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1451820
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHB30N60E-GE3
EAN/GTIN:
     5059040754096
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor. Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Características. Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG Baja capacitancia de entrada (Ciss) Nivel bajo en resistencia (RDS(on)) Carga de compuerta (Qg) ultrabaja Conmutación rápida Menores pérdidas por conmutación y conducción
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
E Series
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
125 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
250 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1451820, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHB30N60EGE3
Resumen de condiciones1
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