MOSFET IXYS IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS clase X2. La serie de MOSFET de potencia IXYS clase X2 ofrece una carga de resistencia y compuerta significativamente menor que las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, las pérdidas son menores y la eficiencia operativa es mayor. Estos sólidos dispositivos tienen un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en diversos paquetes estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares y control de iluminación y temperatura. Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta) Diodo rectificador intrínseco Baja resistencia de compuerta intrínseca Baja inductancia de encapsulado Encapsulados estándar del sector