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MOSFET IXYS IXFP80N25X3, VDSS 250 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
MOSFET IXYS IXFP80N25X3, VDSS 250 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
N.º art.:
     3318E-1464366
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFP80N25X3
EAN/GTIN:
     5059041643856
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Los niveles más bajos de resistencia en funcionamiento (RDS (ON)) y carga de compuerta (Qg) Diodo con cuerpo de recuperación suave y rápida y resistencia a dv/dt Capacidad de avalancha superior Encapsulados estándar internacionales Cargadores de baterías para vehículos eléctricos ligeros Rectificación síncrona en fuentes de alimentación conmutadas Control de motor Convertidores dc-dc Fuentes de alimentación ininterrumpida Carretillas elevadoras eléctricas Amplificadores de audio de clase D Sistemas de telecomunicaciones Alta eficiencia Alta densidad de potencia Fiabilidad del sistema mejorada Fácil de diseñarNúcleo microAptiv MIPS32 de 200 MHz/330 DMIPS Memoria flash de doble panel compatible con actualización en directo Módulo ADC de 45 canales de 12 bits, 18 MSPS Unidad de gestión de memoria para óptima ejecución del sistema operativo integrado Modo microMIPS para compresión de código de hasta el 35% CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI y comparadores analógicos Interfaces SPI/I2S para procesamiento y reproducción de audio Dispositivo USB de alta velocidad/Host/OTG Ethernet MAC 10/100 Mbps con interfaz MII y RMII Protección de memoria avanzada 2 MB de memoria flash (además de un 160 KB de flash de inicio) 640 KB de memoria SRAM
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
250 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220
Serie:
HiperFET
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
16 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
390 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
10.66mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1464366, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IXYS, IXFP80N25X3
Resumen de condiciones1
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