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MOSFET Vishay SI3473CDV-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 8 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1464441
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI3473CDV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040664609
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = P
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 12 V
Tipo de Encapsulado = TSOP-6
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 36 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = -1V
Tensión de umbral de puerta mínima = -0.4V
Disipación de Potencia Máxima = 4,2 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento = +150 °Cmm
Temperatura de Funcionamiento Mínima = -55 °Cmm
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
12 V
Tipo de Encapsulado:
TSOP-6
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
36 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
-1V
Tensión de umbral de puerta mínima:
-0.4V
Disipación de Potencia Máxima:
4,2 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±8 V
Longitud:
3.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1464441, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI3473CDVT1GE3
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