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MOSFET Nexperia PMDXB600UNEZ, VDSS 20 V, ID 600 mA, DFN1010B-6 de 8 pines, 2elementos


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1513049
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PMDXB600UNEZ
EAN/GTIN:
     5059043636634
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V
Tipo de Encapsulado = DFN1010B-6
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 3 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 0.95V
Tensión de umbral de puerta mínima = 0.45V
Disipación de Potencia Máxima = 4025 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente = 8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs = 0,4 nC a 10 Vmm
Altura = 0.4mm
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
DFN1010B-6
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
3 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
0.95V
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.45V
Disipación de Potencia Máxima:
4025 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
8 V
Longitud:
1.15mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: 1513049, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Nexperia, PMDXB600UNEZ
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 1.060,00*
1 envase contiene 5.000 unidades (€ 0,212* por unidad)
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