N.º art.: 3318E-1530730
N.º fabricante: NX7002BKXBZ
EAN/GTIN: 5059043672496
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 260 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = DFN1010B-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 5,7 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 2.1V Tensión de umbral de puerta mínima = 1.1V Disipación de Potencia Máxima = 4032 mW Tensión Máxima Puerta-Fuente = 20 V Temperatura Máxima de Funcionamiento = +150 °Cmm Temperatura de Funcionamiento Mínima = -55 °Cmm
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
260 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
DFN1010B-6
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
5,7 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.1V
Disipación de Potencia Máxima:
4032 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
20 V
Longitud:
1.15mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
1530730 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Nexperia ,
NX7002BKXBZ
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