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Fotodiodo de silicio Vishay, IR, λ sensibilidad máx. 820nm, mont. superficial, encapsulado QFN de 4 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
Fotodiodo de silicio Vishay, IR, λ sensibilidad máx. 820nm, mont. superficial, encapsulado QFN de 4 pines
N.º art.:
     3318E-1612174
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     VEMD5060X01
EAN/GTIN:
     5059040762572
Términos de búsqueda:
Fotodiodos
Fotodiodo
Fotodiodi
Espectros Detectados = Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico = 820nm
Encapsulado = QFN
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Número de Pines = 4
Material del Diodo = Si
Mínima Longitud de Onda Detectada = 350nm
Tiempo de Bajada Típico = 30ns
Longitud = 5mm
Anchura = 4mm
Altura = 0.9mm
Tensión de ruptura = 20V
Más información:
Espectro(s) Detectado(s):
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico:
820nm
Encapsulado:
QFN
Función de amplificador:
No
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Número de Pines:
4
Material del Diodo:
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada:
350nm
Tiempo de Bajada Típico:
30ns
Longitud:
5mm
Anchura:
4mm
Altura:
0.9mm
Estándar de automoción:
AEC-Q101
Tensión de ruptura:
20V
Tiempo de Subida Típico:
30ns
Otros conceptos de búsqueda: 1612174, Displays y Optoelectrónica, Optoacopladores y Fotodetectores, Vishay, VEMD5060X01
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 10,37*
1 envase contiene 10 unidades (€ 1,037* por unidad)
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