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Diodo, RB521S30T1G, 200mA, 30V Barrera Schottky, SOD-523, 2-Pines 500mV


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1629628
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     RB521S30T1G
EAN/GTIN:
     5059042451580
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Rectificadores
Rectificador
Los productos con números de referencia del fabricante con prefijo NSV- , SBR- o S- están indicados para aplicaciones de automoción conformes al estándar AEC-Q101. Diodos De Barrera Schottky De On Semiconductor. Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de−. Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave. Sin Plomo Diseñado Para Un Montaje Automatizado Óptimo De La Placa Protección Contra Tensión Caja Moldeada De Epoxi paquete ligero de 11,7 mg
Más información:
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado:
SOD-523
Corriente Continua Máxima Directa:
200mA
Tensión Repetitiva Inversa de Pico:
30V
Configuración de diodo:
Simple
Tipo de Rectificador:
Diodo Schottky
Tipo de Diodo:
Schottky
Conteo de Pines:
2
Caída de tensión directa máxima:
500mV
Número de Elementos por Chip:
1
Tecnología de diodo:
Barrera Schottky
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico:
1A
Otros conceptos de búsqueda: Diodo rectificador, Diodos rectificadores, Diodo SMD, Diodos SMD, Diodo Schottky, Diodos Schottky, Diodo de barrera Schottky, Diodos de barrera Schottky, diodo smd, 1629628, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Diodos Schottky y Rectificadores, onsemi, RB521S30T1G
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