Placa de desarrollo MikroElektronika FRAM 2 Click - MIKROE-2768

FRAM 2 click lleva la F-RAM CY15B104Q de 4 Mbits (512K x 8) serie de Cypress. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una SRAM. Puede acceder a la memoria usando el bus de interfaz de periféricos serie (SPI) estándar industrial. En el nivel funcional, la F-RAM funciona de forma similar a flash serie y EEPROM serie. La diferencia principal entre CY15B104Q y una flash serie o EEPROM con la misma configuración de contactos es el rendimiento de escritura superior de la F-RAM, alta resistencia y bajo consumo de potencia.