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MOSFET Infineon IRLR024NTRLPBF, VDSS 55 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1655600
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRLR024NTRLPBF
EAN/GTIN:
     5059043331430
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
55 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
110 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
45 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-16 V, +16 V
Longitud:
6.73mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, 1655600, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRLR024NTRLPBF
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