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MOSFET Infineon IRF640NSTRLPBF, VDSS 200 V, ID 18 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1655658
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRF640NSTRLPBF
EAN/GTIN:
     5059043334141
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
200 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
150 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
150 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
10.67mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1655658, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRF640NSTRLPBF
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