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MOSFET Vishay SISA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1657077
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SISA10DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040655461
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK 1212-8
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
5 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.1V
Disipación de Potencia Máxima:
39 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-16 V, +20 V
Longitud:
3.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1657077, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SISA10DNT1GE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 1.263,00*
1 envase contiene 3.000 unidades (€ 0,421* por unidad)
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