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IGBT, STGD5H60DF, N-Canal, 10 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3-Pines Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1658040
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STGD5H60DF
EAN/GTIN:
     5059042891676
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistor SMD
Discretos IGBT, STMicroelectronics
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
83 W
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
3
Configuración de transistor:
Simple
Dimensiones:
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Energía nominal:
221mJ
Capacitancia de puerta:
855pF
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-55 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1658040, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, STMicroelectronics, STGD5H60DF
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Accesorios
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STEVAL-CTM011V1
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