MOSFET onsemi FDG6316P, VDSS 12 V, ID 700 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

MOSFET de canal P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc. Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior. El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.