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MOSFET onsemi FDB088N08, VDSS 75 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1662550
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDB088N08
EAN/GTIN:
     5059042201000
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
75 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
PowerTrench
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
8,8 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
160 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1662550, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDB088N08
Resumen de condiciones1
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Precio
€ 983,20*
1 envase contiene 800 unidades (€ 1,229* por unidad)
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