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MOSFET onsemi 2N7002K, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1662858
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     2N7002K
EAN/GTIN:
     5059042256178
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
4,8 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
350 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
2.92mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor de efecto de campo, 1662858, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, 2N7002K
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