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MOSFET IXYS IXFX64N50Q3, VDSS 500 V, ID 64 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1684719
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFX64N50Q3
EAN/GTIN:
     5059041352567
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3. Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura. Diodo rectificador rápido intrínseco Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta) Baja resistencia de compuerta intrínseca Encapsulados estándar del sector Baja inductancia de encapsulado Alta densidad de potencia
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
500 V
Tipo de Encapsulado:
PLUS247
Serie:
HiperFET, Q3-Class
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
85 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
6.5V
Disipación de Potencia Máxima:
1 kW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
16.13mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de potencia, 1684719, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IXYS, IXFX64N50Q3
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