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MOSFET Infineon IRF9362TRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1685982
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRF9362TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043368856
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOIC
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
32 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.3V
Disipación de Potencia Máxima:
2 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: mosfet de potencia, 1685982, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRF9362TRPBF
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 1.304,00*
1 envase contiene 4.000 unidades (€ 0,326* por unidad)
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