|  |
| |
| N.º art.:
3318E-1686034 N.º fabricante:
IRLR3410TRLPBF EAN/GTIN:
5059043397597 |
| |
|
| | |
| MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema. Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 17 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | DPAK (TO-252) | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 150 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2V | Tensión de umbral de puerta mínima: | 1V | Disipación de Potencia Máxima: | 79 W | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | -16 V, +16 V | Longitud: | 6.73mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +175 °C |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: mosfet de potencia, 1686034, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRLR3410TRLPBF |
| | |
| |