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MOSFET Infineon IRFR9024NTRPBF, VDSS 55 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1687942
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRFR9024NTRPBF
EAN/GTIN:
     5059043379395
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
55 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
175 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
38 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
6.73mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, transistor de efecto de campo, 1687942, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRFR9024NTRPBF
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