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MOSFET Infineon IPD068N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 90 A, TO-252 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1711939
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPD068N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     5059043812458
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
TO-252
Serie:
OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
12,3 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
150 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
20 V
Longitud:
6.73mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1711939, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPD068N10N3GATMA1
Resumen de condiciones1
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Neto
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€ 14,91*
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€ 14,16*
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a partir de 50 envases
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por envase
a partir de 100 envases
€ 10,75*
€ 13,008
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