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MOSFET onsemi NTMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN de 5 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1728781
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTMFS6H800NT1G
EAN/GTIN:
     5059042533064
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 203 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V
Tipo de Encapsulado = DFN
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 3,5 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2V
Disipación de Potencia Máxima = 200 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±20 V
Ancho = 5.1mm
Altura = 1.1mm
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
203 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
80 V
Tipo de Encapsulado:
DFN
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
3,5 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
200 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
6.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1728781, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTMFS6H800NT1G
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