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MOSFET onsemi NTHL082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1728790
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTHL082N65S3F
EAN/GTIN:
     5059042309058
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia. El rendimiento de recuperación inversa optimizado de MOSFET SuperFET III FRFET® puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.700 V a TJ = 150 °C Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 81 nC) Menor pérdida de conmutación Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 722 pF) Menor pérdida de conmutación Excelente rendimiento de diodo de cuerpo (bajo Qrr, diodo de cuerpo sólido) Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC Capacitancia optimizada Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs Típ. RDS(on) = 70 mΩ Aplicaciones Telecomunicaciones Sistema en la nube Industriales Alimentación de telecomunicaciones Alimentación de servidores Cargador EV Solar / SAI
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
82 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
3V
Disipación de Potencia Máxima:
313 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±30 V
Longitud:
15.87mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1728790, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTHL082N65S3F
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