MOSFET onsemi NTMFS6H801NT1G, VDSS 80 V, ID 157 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 157 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V
Tipo de Encapsulado = DFN
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 4,4 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2V
Disipación de Potencia Máxima = 166 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs = 64 nC a 10 Vmm
Altura = 1.1mm