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MOSFET ROHM R6007END3TL1, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1776676
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6007END3TL1
EAN/GTIN:
     5059045484448
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V
Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252)
Serie = R6007END3
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 620 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2V
Disipación de Potencia Máxima = 78 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±30 V
Longitud = 6.8mm
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
R6007END3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
620 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
78 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±30 V
Longitud:
6.8mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1776676, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, R6007END3TL1
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