MOSFET Microchip VP2450N8-G, VDSS 500 V, ID 160 mA, SOT-89 de 3 pines, , config. Simple

Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) y umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.Libre de ruptura secundaria Bajo requisito de potencia de excitación Fácil conexión en paralelo Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas Alta impedancia de entrada y ganancia alta Estabilidad térmica excelente Diodo de fuente a drenador integral